碳化硅SiC是一種晶體，具有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中碳原子和硅原子的位置是交替的．在下列各種晶體：①晶體硅�、谙跛徕洝、劢饎偸、芴蓟琛、莞杀、薇�，它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是（　�。�
A、①②③④⑤⑥B、①④③②⑥⑤C、③④①②⑥⑤D、③④①②⑤⑥
分析：熔點(diǎn)的一般規(guī)律：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，同種晶體根據(jù)晶體中微粒間的作用力大小分析．
解答：解：晶體屬于原子晶體的有①③④、離子晶體的有②、分子晶體的有⑤⑥．一般來說，原子晶體的熔點(diǎn)＞離子晶體的熔點(diǎn)＞分子晶體的熔點(diǎn)；對(duì)于原子晶體，原子半徑越大，鍵長越長，鍵能越小，熔點(diǎn)越低，鍵長Si-Si＞Si-C＞C-C，相應(yīng)鍵能Si-Si＜Si-C＜C-C，故它們的熔點(diǎn)：金剛石＞碳化硅＞晶體硅；分子晶體中有氫鍵的熔點(diǎn)較高，所以熔點(diǎn)：冰＞干冰，所以它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是③④①②⑥⑤，
故選C．
點(diǎn)評(píng)：本題考查了晶體類型相同的物質(zhì)中，原子晶體中鍵長對(duì)物質(zhì)熔點(diǎn)的影響，鍵長越短，鍵能越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高；分子晶體中有氫鍵的物質(zhì)熔點(diǎn)高．
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2004年9月3日英國《自然》雜志報(bào)道，碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一，其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高，熔化及鍛制的過程相當(dāng)費(fèi)勁，而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵，如雜質(zhì)、氣泡等，這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流。因此，碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱，他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅（SiC）的有關(guān)說法錯(cuò)誤的是

A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B. 碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料

C. 碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高

D. 制取碳化硅的反應(yīng)：SiO2＋3CSiC＋2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑

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