2010年上海世博會主題是“城市,讓生活更美好”,下列有關(guān)世博會說法錯誤的是( 。
分析:A.從氧化鋁的性質(zhì)角度分析;
B.乙醇燃燒生成二氧化碳和水,并不真正實(shí)現(xiàn)“二氧化碳零排放”;
C.聚乙烯材料難以降解,形成白色污染;
D.太陽能發(fā)電技術(shù)是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的裝置.
解答:解:A.鋁易在表面形成一層致密的氧化鋁薄膜,阻礙反應(yīng)進(jìn)一步進(jìn)行,可起到保護(hù)作用,故A正確;
B.乙醇燃燒生成二氧化碳和水,并不真正實(shí)現(xiàn)“二氧化碳零排放”,故B錯誤;
C.聚乙烯材料難以降解,形成白色污染,用可降解材料代替塑料殼減少白色污染,故C正確;
D.太陽能發(fā)電技術(shù)是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的裝置,故D正確.
故選B.
點(diǎn)評:本題考查化學(xué)材料與環(huán)境保護(hù),題目難度不大,注意常見相關(guān)基礎(chǔ)知識的積累.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
4
4
,與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列說法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

2010年上海世博會場館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(3)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
4
4
,與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
.(用氫化物分子式表示)
(6)下列說法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga                  D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2011?南京模擬)2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
4
4
,與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)下列說法正確的是
BCDE
BCDE
(填字母).
A.砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
E.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3

(5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2011?石景山區(qū)一模)2010年上海世博會的主題是“城市,讓生活更美好”.下列敘述中不正確的是( 。

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