Question

獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì)，信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開(kāi)材料科學(xué)的推動(dòng)。信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅，單晶硅可用來(lái)制作大規(guī)模集成電路、整流器等，硅純度越高，大規(guī)模集成電路的性能就越好。高純度的單晶硅生產(chǎn)方法有：

方法一：三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

方法二：用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅。

根據(jù)上述信息回答以下問(wèn)題：

(1)從方法一生產(chǎn)單晶硅的過(guò)程看，由焦炭還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理？_________________________________________________________。

(2)寫(xiě)出方法二中生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)方程式：

①____________________________________________________________；

②__________________________________________________________。

(3)寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式：____________________________________。

(4)在方法一中，整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_____________________________________________________。

(5)比較方法一和方法二，分析一下各自的優(yōu)缺點(diǎn)____________________________________。

 

Answer 1

(1)由C還原SiO2得到的單質(zhì)硅中，雜質(zhì)含量過(guò)高，將它用HCl、Cl2處理得到低沸點(diǎn)SiHCl3，便于蒸發(fā)提純，然后再還原得高純硅

(2)①Mg2Si＋4HCl=2MgCl2＋SiH4↑

②SiH4Si＋2H2

(3)SiHCl3＋H2Si＋3HCl

(4)SiHCl3＋3H2O=H2SiO3＋3HCl＋H2↑

Si被氧化成SiO2而得不到Si單質(zhì)， H2和O2混合發(fā)生爆炸

(5)方法一的優(yōu)點(diǎn)是原料來(lái)源豐富，但與方法二相比，步驟較復(fù)雜，方法二的優(yōu)點(diǎn)是流程簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是原料需要制備

【解析】(1)C還原SiO2得到的單質(zhì)硅是粗硅，雜質(zhì)的含量高，需要進(jìn)一步的提純處理；(2)Mg2Si與鹽酸作用生成硅烷，同時(shí)生成MgCl2；(3)注意副產(chǎn)物為HCl；(4)SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)方程式：SiHCl3＋3H2O=H2SiO3＋H2↑＋3HCl；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是：高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸。