Question

（14分）元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請(qǐng)根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識(shí)回答下列問(wèn)題：
（1）按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），以下說(shuō)法正確的是               。
a．原子序數(shù)和離子半徑均減小              b．金屬性減弱，非金屬性增強(qiáng)
c．氧化物對(duì)應(yīng)的水合物堿性減弱，酸性增強(qiáng)  d．單質(zhì)的熔點(diǎn)降低
（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱(chēng)為           ，氧化性最弱的簡(jiǎn)單陽(yáng)離子是   。
（3）已知：

化合物	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
類(lèi)型	離子化合物	離子化合物	離子化合物	共價(jià)化合物
熔點(diǎn)/℃	2800	2050	714	191

 
工業(yè)制鎂時(shí)，電解MgCl₂而不電解MgO的原因是                           ；制鋁時(shí)，電解Al₂O₃而不電解AlCl₃的原因是                                                 。
（4）晶體硅（熔點(diǎn)1410℃）是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過(guò)程如下：

寫(xiě)出SiCl₄的電子式：            ；在上述由SiCl₄制純硅的反應(yīng)中，測(cè)得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫(xiě)出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：                                 。
（5）P₂O₅是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P₂O₅干燥的是          。
a． NH₃        b． HI        c． SO₂      d ． CO₂
（6）KClO₃可用于實(shí)驗(yàn)室制O₂，若不加催化劑，400℃時(shí)分解只生成兩種鹽，其中一種是無(wú)氧酸鹽，另一種鹽的陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1。寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：                                   。     

Answer 1

（1）b
（2）氬        Na⁺（鈉離子）
（3）MgO的熔點(diǎn)高，熔融時(shí)耗費(fèi)更多資源，增加生產(chǎn)成本
AlCl₃是共價(jià)化合物，熔融態(tài)難導(dǎo)電
（4）
SiCl₄(g)+2H₂(g)Si(s)+4HCl(g) ?H=" +0.025" kJ?mol?¹
（5）b
（6）

解析試題分析：（1）a、原子序數(shù)遞增，離子半徑也可能增大，錯(cuò)誤；b、第三周期隨原子序數(shù)的遞增，金屬性減弱，非金屬性增強(qiáng)，增強(qiáng)；c、沒(méi)有指明為最高價(jià)氧化物，錯(cuò)誤；d、單質(zhì)的熔點(diǎn)也可能增大，錯(cuò)誤。
（2）第三周期原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素是氬，都是8；氧化性最弱的是簡(jiǎn)單陽(yáng)離子是Na的陽(yáng)離子，Na⁺
（3）MgO的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于MgCl₂的熔點(diǎn)，熔融時(shí)耗費(fèi)更多資源，增加生產(chǎn)成本；AlCl₃是共價(jià)化合物，熔融態(tài)難導(dǎo)電，所以不能電解熔融A(yíng)lCl₃。
（4）SiCl₄中Si分別與Cl形成1對(duì)共用電子，所以電子式為：
生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，則生成28g純硅需吸收0.025 kJ，可得熱化學(xué)方程式。
（5）NH₃既不能用濃硫酸干燥，也不能用P₂O₅干燥，HI不能用濃硫酸干燥，可用P₂O₅干燥，SO₂不能用濃硫酸干燥，CO₂能用濃硫酸干燥，所以b項(xiàng)正確。
（6）一種是無(wú)氧酸鹽，另一種鹽的陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1，根據(jù)氧化還原反應(yīng)原理，這兩種鹽為KCl、KClO₄，配平可得化學(xué)方程式。
考點(diǎn)：本題考查元素周期律、元素的推斷、電子式和熱化學(xué)方程式的書(shū)寫(xiě)、干燥劑、氧化還原反應(yīng)原理。