Question

【題目】Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng).耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）下列說(shuō)法正確的是__________（填序號(hào)）

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga

C.電負(fù)性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga

（2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得，反應(yīng)的方程式為_____________________________；

（3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

（4）請(qǐng)解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因_______________________， Cu2+的核外電子排布式為_______________________。

（5）在硫酸銅溶液中通入過(guò)量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍(lán)色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外，還有_________和_________。

Answer 1

【答案】 BC （CH3）3Ga + AsH3 GaAs + 3CH4 三角錐 sp2 銅是金屬晶體，由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成，自由電子在外加電場(chǎng)的作用下可發(fā)生定向移動(dòng) ［Ar］3d9 或1s22s22p63s23p63d 9 離子鍵 配位鍵

【解析】（1）A項(xiàng)，GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點(diǎn)和面心，而如圖NaCl中陰陽(yáng)離子分別位于晶胞的頂點(diǎn)、面心以及棱和體心，二者結(jié)構(gòu)不同，故A錯(cuò)誤；B項(xiàng)，同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大，所以第一電離能：As＞Ga，故B正確；C項(xiàng)，同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大，所以電負(fù)性：As＞Ga，故C正確；D項(xiàng)，同周期從左到右原子半徑減小，所以原子半徑As＜Ga，故D錯(cuò)誤。綜上，選BC。

（2）由已知，反應(yīng)物為(CH3)3Ga和AsH3，一種生成物為GaAs，根據(jù)原子守恒還應(yīng)有CH4，反應(yīng)在700℃下進(jìn)行，化學(xué)方程式為：(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4。

（3）As原子最外層5個(gè)電子，AsH3中含有3個(gè)δ鍵和1個(gè)孤電子對(duì)，為三角錐形，Ga最外層3個(gè)電子，(CH3)3Ga中Ga形成3個(gè)δ鍵，沒(méi)有孤電子對(duì)，為sp2雜化。

（4）金屬銅能導(dǎo)電是因?yàn)殂~是金屬晶體，由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成，自由電子在外加電場(chǎng)的作用下可發(fā)生定向移動(dòng)，從而導(dǎo)電；Cu是29號(hào)，故Cu2+的核外電子排布式為［Ar］3d9或1s22s22p63s23p63d9。

（5）[Cu(NH3)4]SO4晶體屬于配合物，配離子與硫酸根之間形成離子鍵、銅離子與氨分子之間形成配位鍵。