下列說(shuō)法中正確的是(          )
A.NO2、SO2、BF3、NCl3分子中沒有一個(gè)分子中原子的最外層電子都滿足了8e穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
B.P4和CH4都是正四面體分子且鍵角都為109o28ˊ
C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近Na+共有12個(gè)
D.CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近Cl-共有6個(gè)
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

[化學(xué)選修-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](13分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。其中A、C原子的L層有2個(gè)未成對(duì)電子。D與E同主族,D的二價(jià)陽(yáng)離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。F3+離子M層3d軌道電子為半滿狀態(tài)。請(qǐng)根據(jù)以上情況,回答下列問題:(答題時(shí),用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                                     。
(2)A的氫化物的分子空間構(gòu)型是                 ,其中心原子采取            雜化,屬于                填“極性分子”和“非極性分子”)。
(3)F和M(質(zhì)子數(shù)為25)兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:
元   素
M
F
電離能
(kJ·mol1
I1
717
759
I2
1509
1561
I3
3248
2957
比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)M2再失去一個(gè)電子比氣態(tài)F2再失去一個(gè)電子難。對(duì)此,你的解釋是                               ;
(4)晶體熔點(diǎn):DC      EC(填“<、=、>”),原因是                                        。
(5)H2S和C元素的氫化物(分子式為H2C2)的主要物理性質(zhì)比較如下:
 
熔點(diǎn)/K
沸點(diǎn)/K
標(biāo)準(zhǔn)狀況時(shí)在水中的溶解度
H2S
187
202
2.6
H2C2
272
423
以任意比互溶
H2S和H2C2的相對(duì)分子質(zhì)量基本相同,造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因              ?
(6)已知某化合反應(yīng),在反應(yīng)過(guò)程中只有σ鍵的斷裂與生成,寫出符合要求的化學(xué)方程式
                                                      (寫一個(gè))。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

關(guān)于晶體與化學(xué)鍵關(guān)系的下列說(shuō)法中,正確的是(    )
A.離子晶體中一定存在共價(jià)鍵
B.原子晶體中可能存在離子鍵
C.金屬晶體中存在離子,但卻不存在離子鍵
D.分子晶體中一定存在共價(jià)鍵

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

(10分)某離子晶體晶胞如圖所示,陽(yáng)離子 X(●)位于立方體的頂點(diǎn),陰離子Y(○)位于立方體的中心,試分析:

(1)晶體中Y的配位數(shù)是       ; X的配位數(shù)是     ;該晶體的化學(xué)式為        
(2)晶體中在每個(gè)X周圍與它最接近且距離相等的X共有        個(gè)。
(3)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g/mol,晶體密度為ρ g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中兩個(gè)距離最近的X中心間的距離為        cm。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列判斷正確的是                                                                                        (   
A.非金屬氧化物一定是酸酐B.酸酐一定是非金屬氧化物
C.晶體中一定存在化學(xué)鍵D.堿性氧化物一定是金屬氧化物

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列關(guān)于晶體的說(shuō)法正確的是
A.分子晶體中一定含共價(jià)鍵
B.CsCl晶體中Cs的配位數(shù)為6
C.SiO2晶體中每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子以單鍵結(jié)合
D.金屬晶體的熔點(diǎn)一定比原子晶體低,一定比分子晶體高

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

如圖所示,直線交點(diǎn)處的圓圈為NaCl晶體中Na+離子或Cl-離子所處的位置。這兩種離子在空間三個(gè)互相垂直的方向上都是等距離排列的。

(1)晶體中,在每個(gè)Na+離子的周圍與它最接近的且距離相等的Na+離子共有    個(gè)。
(2)已知食鹽晶體的密度為2.2g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為6.02×1023mol-1。食鹽晶體中兩個(gè)距離最近的鈉離子中心間的距離為                cm。計(jì)算過(guò)程如下:
                                                                             
                                                                            。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列各組物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是  (   )
A.O2、I2、HgB.Na、K、Rb
C.CO2、KCl、NaClD.HF、HCl、HBr

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

常見的晶體有如下類型:①分子晶體;②離子晶體;③原子晶體;④金屬晶體,在非金屬元素所形成的單質(zhì)或化合物中,固態(tài)時(shí)的晶體類型可以是
A.①②③④B.只有①③④C.只有①②③D.只有①③

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