下表給出幾種物質(zhì)的熔點(diǎn),對(duì)此有下列一些說(shuō)法:
物質(zhì) SiO2 MgCl2 CaCl2 SiCl4
熔點(diǎn)(℃) 1723 712 782 -68
①CaCl2屬于離子晶體                           
②SiCl4是分子晶體
③一個(gè)SiO2分子由1個(gè)Si原子和2個(gè)O原子構(gòu)成  
④MgCl2在熔化狀態(tài)不能導(dǎo)電
上述說(shuō)法中正確的有( 。
分析:根據(jù)熔點(diǎn)判斷晶體類型,根據(jù)晶體類型判斷存在的微粒.
解答:解:①CaCl2屬于離子晶體,故正確;
②SiCl4是分子晶體,故正確;
③SiO2是原子晶體,故錯(cuò)誤;
 ④MgCl2屬于離子晶體,在熔化狀態(tài)下能電離出自由移動(dòng)的離子,所以在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,故④錯(cuò)誤.
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查了熔點(diǎn)與晶體類型的關(guān)系,要注意:SiO2是原子晶體,在晶體中不存在單個(gè)的分子,Si、O原子個(gè)數(shù)以2:1構(gòu)成空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu).
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(  )

 

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)B

熔點(diǎn)/℃

810

710

180

68

2300

沸點(diǎn)/℃

1 465

1 418

160

57

2 500

A.SiCl4是分子晶體

B.單質(zhì)B可能是原子晶體

C.AlCl3加熱不能升華

D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

根據(jù)下表中給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(    )

 

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)硼

熔點(diǎn)/℃

810

710

180

-68

2 300

沸點(diǎn)/℃

1 465

1 418

160

57

2 500

A.SiCl4是分子晶體                      B.單質(zhì)硼可能是原子晶體

C.AlCl3加熱能升華                      D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2的小

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(    )

 

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)B

熔點(diǎn)/℃

810

710

180

68

2 300

沸點(diǎn)/℃

1 465

1 418

160

57

2 500

A.SiCl4是分子晶體                            B.單質(zhì)B可能是原子晶體

C.AlCl3加熱能升華                            D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(    )

 

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)B

熔點(diǎn)/ ℃

810

710

180

68

2 300

沸點(diǎn)/ ℃

1 465

1 418

160

57

2 500

A.SiCl4是分子晶體                        B.單質(zhì)B可能是原子晶體

C.AlCl3加熱能升華                        D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(  )

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)B

熔點(diǎn)/℃

810

710

180

-68

2300

沸點(diǎn)/℃

1465

1418

160

57

2500

A.SiCl4是分子晶體

B.單質(zhì)B可能是原子晶體

C.AlCl3加熱能升華

D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2的小

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