Question

Ⅰ．砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長．耗能少．已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．請(qǐng)回答下列問題：
（1）下列說法正確的是

 

（填序號(hào)）
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同 B．第一電離能 As＞Ga C．電負(fù)性 As＞Ga D．原子半徑 As＞Ga
（2）AsH₃空間形狀為

 

；已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為

 

；
Ⅱ．金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)．
（3）Cu²⁺的核外電子排布式為

 

．
（4）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍(lán)色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體，晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外，還有

 

和

 

．

Answer 1

分析：（1）A．對(duì)比GaAs與NaCl中陰陽離子在晶胞中的分布可判斷晶胞結(jié)構(gòu)是否一樣；
B．同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大；
C．同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大；
D．同周期自左而右原子半徑減�。�
（2）根據(jù)中心原子成鍵與含有孤電子對(duì)數(shù)判斷分子的空間構(gòu)型可雜化方式；
（3）根據(jù)能量最低原理書寫電子排布式；
（4）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體屬于配合物，配離子與硫酸根之間形成離子鍵、銅離子與氨氣分子之間形成配位鍵，氨氣分子、硫酸根離子中存在普通共價(jià)鍵．

解答：解：（1）A．GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點(diǎn)和面心，而NaCl中陰陽離子分別位于晶胞的頂點(diǎn)、面心以及棱和體心，二者結(jié)構(gòu)不同，故A錯(cuò)誤；
B．同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大，則第一電離能：As＞Ga，故B正確；
C．同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大，則電負(fù)性：As＞Ga，故C正確；
D．同周期自左而右原子半徑減小，故原子半徑As＜Ga，故D錯(cuò)誤，
故答案為：BC；
（2）AsH₃中含有3個(gè)δ鍵和1個(gè)孤電子對(duì)，為三角錐形，（CH₃）₃Ga中Ga形成3個(gè)δ鍵，沒有孤電子對(duì)，為sp²雜化，故答案為：三角錐型；sp²；
（3）Cu為29號(hào)元素，Cu²⁺的核外有27個(gè)電子，其電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；
（4）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體屬于配合物，配離子與硫酸根之間形成離子鍵、銅離子與氨氣分子之間形成配位鍵，）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體屬于配合物，氨氣分子、硫酸根離子中存在普通共價(jià)鍵，四氨合銅絡(luò)離子與硫酸根之間形成離子鍵、銅離子與氨氣分子之間形成配位鍵，
故答案為：離子鍵；配位鍵．

點(diǎn)評(píng)：本題考查學(xué)生對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)模塊的掌握情況，重點(diǎn)考查結(jié)構(gòu)知識(shí)，涉及電離能、電負(fù)性、原子半徑、空間結(jié)構(gòu)、雜化軌道、化學(xué)式，考查知識(shí)全面、覆蓋廣，難度適中．