下列說法中正確的是
A.C60氣化和I2升華克服的作用力相同
B.分子晶體在水溶液中一定導(dǎo)電
C.氯化鈉和氯化氫溶于水時(shí),破壞的化學(xué)鍵都是離子鍵
D.用作高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料的Si3N4固體是分子晶體
A

試題分析:B項(xiàng):分子晶體在熔融狀態(tài)下都不導(dǎo)電,在水溶液中不都導(dǎo)電,主要看它是不是電解質(zhì),大多數(shù)非金屬單質(zhì)及其形成的化合物如干冰(CO2)、I2、HF、H2O、NH3、CH3CH2OH大多數(shù)有機(jī)物,其固態(tài)均為分子晶體。它們的水溶液幾乎都導(dǎo)電。比如酸類的就導(dǎo)電,而蔗糖也是分子晶體但他水溶液不導(dǎo)電,故錯(cuò);C項(xiàng):氯化氫溶于水破壞的是共價(jià)鍵,故錯(cuò);D項(xiàng):Si3N4是原子晶體,故錯(cuò)。故選A。
點(diǎn)評(píng):本題考查的是分子間作用力、分子晶體、原子晶體和化學(xué)鍵的相關(guān)知識(shí),比較綜合,題目難度適中。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

關(guān)于SiO2晶體的敘述中,正確的是( 。
A.通常狀況下,60 g SiO2晶體中含有的分子數(shù)為NA(NA表示阿伏加德羅常數(shù))
B.60 g SiO2晶體中,含有2NA個(gè)Si—O鍵
C.晶體中與同一硅原子相連的4個(gè)氧原子處于同一四面體的4個(gè)頂點(diǎn)
D.SiO2晶體中含有1個(gè)硅原子,2個(gè)氧原子

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列圖象是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖,試判斷屬于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的圖象是
    
⑴           ⑵        ⑶       ⑷
A.圖⑴和圖⑶B.圖⑵和圖⑶  
C.只有圖⑴  D.圖⑴和圖⑷

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

納米材料的表面微 粒占總微粒數(shù)的比例極大,這是它有許多特殊性質(zhì)的原因。假設(shè)某氯化鈉納米顆粒的大小和形狀恰好與氯化鈉晶胞的大小和形狀相同(如圖3所示),則這種納米顆粒的表面微粒數(shù)與總微粒數(shù)的比值為 
               
A.7:8B.13:14C.25:26D.26:27

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(10分)已知一些單質(zhì)、化合物的沸點(diǎn)(1.01×105Pa,單位:℃)如下表所示:

結(jié)合上表有關(guān)信息回答下列問題:
(1)判斷下列說法不正確的是                        
A.同周期元素的氫化物,原子序數(shù)越大,沸點(diǎn)越高
B.上表中H2O、HF中由于含有氫鍵,故其分子特別穩(wěn)定
C.上表中,多數(shù)物質(zhì)的沸點(diǎn)均與相對(duì)分子質(zhì)量存在一定的關(guān)系
D.周期表中各主族元素的單質(zhì)其沸點(diǎn)都隨原子序數(shù)的增大而升高
E.氫化物的穩(wěn)定性越高,其沸點(diǎn)越高
(2)寫出②系列中物質(zhì)主要化學(xué)性質(zhì)的遞變規(guī)律(任寫一種):                      ;能說明該遞變規(guī)律的化學(xué)事實(shí)是                 (任寫一例,用離子方程式表示)。
(3)除極少數(shù)情況,同一系列中物質(zhì)的沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量之間存在一定的關(guān)系,該關(guān)系是                            。
(4)部分XX’型鹵素互化物(X、X’表示不同的鹵原子)和鹵素單質(zhì)的沸點(diǎn)也與其相對(duì)分子質(zhì)量存在著如右圖所示的關(guān)系。試推測(cè)ICl的沸點(diǎn)所處的最小范圍          (填“物質(zhì)的化學(xué)式”)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似(如下圖所示),但CaC2晶體中含有的中啞鈴形C22-的存在,使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。下列關(guān)于CaC2晶體的說法中不正確的是
A.1個(gè)Ca2+周圍距離最近且等距離的C22-數(shù)目為6
B.該晶體中的陰離子與F2是等電子體
C.6.4克CaC2晶體中含陰離子0.1mol
D.與每個(gè)Ca2+距離相等且最近的Ca2+共有12個(gè)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

如圖所示為某教材中給出的石英晶體平面結(jié)構(gòu)示意圖,它實(shí)際上是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作是晶體硅中的每個(gè)Si-Si鍵中插入一個(gè)O),其中硅與氧原子個(gè)數(shù)之比是__________________________;在石英晶體中,由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上具有的Si、O原子個(gè)數(shù)是_______________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知,鐵有α、γ、δ三種晶體結(jié)構(gòu),并且在一定條件下可以相互轉(zhuǎn)化(如圖),請(qǐng)回答相關(guān)的問題:
       
α-Feγ-Feδ-Fe
(1)鐵的三種晶體之間的轉(zhuǎn)化屬于          變化(填“物理”或“化學(xué)”),理由是:                                                  。
(2)鐵的α、γ、δ三種晶體結(jié)構(gòu)中,F(xiàn)e原子的配位數(shù)之比為:           
(3)設(shè)α-Fe晶胞邊長(zhǎng)為a cm,δ-Fe晶胞邊長(zhǎng)為b cm,計(jì)算確定:
兩種晶體的密度比為:           。(用a、b的代數(shù)式表示)
(4)Fe3C是工業(yè)煉鐵生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的一種鐵的合金,在Fe3C晶體中,每個(gè)碳原子被6個(gè)位于頂角位置的鐵原子所包圍,成八面體結(jié)構(gòu),即碳原子配位數(shù)為6,那么,鐵原子配位數(shù)為     。
事實(shí)上,F(xiàn)e3C是C與鐵的晶體在高溫下形成的間隙化合物(即碳原子填入鐵晶體中的某些空隙),根據(jù)相關(guān)信息,你認(rèn)為形成碳化鐵的鐵的三種晶體結(jié)構(gòu)中,最有可能的是:          。(選填“α-Fe”、“γ-Fe”或“δ-Fe”)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

【化學(xué)—選修5:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)
現(xiàn)有A、B、C、D、E原子序數(shù)依次增大的五種元素,它們位于元素周期表的前四周期。A元素原子的價(jià)層電子總數(shù)是內(nèi)層電子總數(shù)的2倍;C元素原子的L電子層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;D元素與E元素在同周期相鄰的族,它們的原子序數(shù)相差3,且D元素的基態(tài)原子有4個(gè)未成對(duì)電子。請(qǐng)回答下列問題:
⑴A、B、C三種元素的名稱分別為        、        、        。
⑵用元素符號(hào)表示A、B、C三種元素的第一電離能由低到高的排序?yàn)?u>               。
⑶E元素基態(tài)原子的核外電子排布式為                          。
⑷A元素與氫元素能形成種類繁多的化合物,其中只含sp3雜化且相對(duì)分子質(zhì)量最小的分子的VSEPR空間構(gòu)型為         ;其中只含sp2雜化且相對(duì)分子質(zhì)量最小的化合物的結(jié)構(gòu)式為           ;其中同時(shí)含sp雜化、SP2雜化、sp3雜化且相對(duì)分子質(zhì)量最小的化合物的化學(xué)式為          。
⑸A元素的一種單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)如圖甲所示,D元素的一種單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)如圖乙所示。
        
圖甲中A原子的配位數(shù)與圖乙中D原子的配位數(shù)之比為         。

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