17.人們生產(chǎn)、生活和科研中離不開材料,下面是與材料有關(guān)的題目,請解答:
(1)金屬鈦(22Ti) 號稱航空材料,是目前繼銅、鐵、鋁之后人類廣泛使用的第四種金屬.鈦元素基態(tài)原子未成對電子數(shù)為2個(gè).
(2)不銹鋼在日常生活中得以廣泛應(yīng)用,不銹鋼中往往添加鉻元素(24Cr).寫出基態(tài)鉻的電子排布式:1s22s22p63s23p63d54s1
(3)居室裝飾材料中往往含有甲醛,甲醛中碳氧原子之間含有1個(gè)σ鍵,1個(gè)π鍵.
(4)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖所示,其中是電腦芯片核心材料的序號為8,元素符號為Si.
(5)由C原子跟Si原子以1:1相互交替結(jié)合而形成的晶體,其晶型與晶體Si相同.兩者相比熔點(diǎn)更高的是SiC(填化學(xué)式);試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋:因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高
多余.

分析 (1)根據(jù)金屬鈦(22Ti)原子的電子排布式判斷;
(2)Cr是24號元素,其原子核外有24個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理寫出其基態(tài)原子核外電子排布式;
(3)甲醛中C原子與H原子之間形成C-H單鍵,故C原子與O原子之間形成C=O雙鍵,雙鍵中含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,據(jù)此分析解答;
(4)第三周期8種元素,電腦芯片核心材料為硅,只有Si單質(zhì)為原子晶體,熔點(diǎn)最大,分子晶體的熔點(diǎn)低,有磷、硫、氯氣、氬氣幾種物質(zhì);
(5)SiC和晶體Si均屬于原子晶體,原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高.

解答 解:(1)Ti是22號元素,其原子核外有22個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2,所以鈦元素基態(tài)原子未成對電子數(shù)為2個(gè),故答案為:2;
(2 ) Cr是24號元素,其原子核外有24個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1;
(3)甲醛中C原子與H原子之間形成C-H單鍵,C原子與O原子之間形成C=O雙鍵,雙鍵中含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,則COH2分子中碳氧原子之間含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,故答案為:1;1;
(4)第三周期8種元素,電腦芯片核心材料為硅,只有Si單質(zhì)為原子晶體,熔點(diǎn)最大,與圖中8對應(yīng);故答案為:8;Si;
(5)SiC和晶體Si均屬于原子晶體,原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高,故答案為:SiC; 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高.

點(diǎn)評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),涉及元素周期表、核外電子排布規(guī)律、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體類型與性質(zhì)等,難度中等,側(cè)重考查學(xué)生對知識運(yùn)用、分析解決問題能力.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

19.使溴水褪色,發(fā)生取代反應(yīng)的是(  )
A.CH2=CH2B.HC≡CHC.C2H5OHD.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

8.下列各組離子在指定溶液中一定能大量共存的是( 。
①透明溶液中:K+、Fe3+、MnO${\;}_{4}^{-}$、SO${\;}_{4}^{2-}$
②pH=11的溶液中:CO${\;}_{3}^{2-}$、Na+、AlO${\;}_{2}^{-}$、NO${\;}_{3}^{-}$
③加入Al能放出H2的溶液中:Na+、K+、SO${\;}_{4}^{2-}$、Cl-
④由水電離出的c(OH-)=10-13mol•L-1的溶液中:Na+、Cl-、Br-、Mg2+
⑤有較多Fe3+的溶液中:Na+、NH${\;}_{4}^{+}$、Cl-、HCO${\;}_{3}^{-}$
⑥酸性溶液中:Fe2+、Al3+、NO${\;}_{3}^{-}$、Cl-
A.①②③B.②③⑥C.②④⑤D.③⑤⑥

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

5.向絕熱恒容密閉容器中通入SO2和NO2,在一定條件下使反應(yīng)SO2(g)+NO2(g)?SO3(g)+NO(g)達(dá)到平衡,正反應(yīng)速率隨時(shí)間變化的示意圖如圖所示.
(1)點(diǎn)a-c段,速率變化的主要原因是反應(yīng)放熱,溫度升高,反應(yīng)速率加快,點(diǎn)c后速率變化的主要原因是反應(yīng)物濃度減小,反應(yīng)速率減慢.
(2)c點(diǎn)是否已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài)否(填“是”、“否”或“不一定”)
(3)反應(yīng)物濃度:a點(diǎn)>b點(diǎn)(填“<”、“=”或“>”)
(4)反應(yīng)物的總能量>生成物的總能量(填“<”、“=”或“>”)
(5)△t1=△t2時(shí),SO2物質(zhì)的量的變化量:a~b段<b~c段(填“<”、“=”或“>”)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

12.下列有關(guān)物質(zhì)檢驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)論正確的是( 。
實(shí) 驗(yàn) 操 作現(xiàn) 象實(shí) 驗(yàn) 結(jié) 論
A向某溶液中加入鹽酸酸化的氯化鋇溶液有白色沉淀生成溶液中一定含有SO42-
B將某氣體通入澄清石灰水中變渾濁該氣體一定是CO2
C向某溶液中加入2滴KSCN溶液;溶液不顯紅色;溶液中一定含有Fe2+
另取樣,先滴入氯水,再滴入KSCN溶液溶液變?yōu)榧t色
DAl箔插入稀HNO3無現(xiàn)象Al箔表面被HNO3氧化,形成致密的氧化膜
A.AB.BC.CD.D

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

2.A、B、C、E四種芳香族化合物都是某些植物揮發(fā)油中的主要成分,有的是藥物,有的是香料.它們的結(jié)構(gòu)簡式如下所示:

請回答下列問題:
(1)寫出A與足量Br2水反應(yīng)的化學(xué)方程式
(2)既能使FeCl3溶液顯紫色又能和NaHCO3反應(yīng)放出氣體的有C(用A、B、C填空). 
(3)按如此流程:B$→_{Ag△}^{O_{2}}$D$→_{反應(yīng)}^{酯化}$酯FM(F)=178 經(jīng)一步反應(yīng)可生成D,D和A的互為同分異構(gòu)體,寫出B與新制的Cu(OH)2懸濁液反應(yīng)的化學(xué)方程式:
(4)寫出E與足量NaOH溶液共熱反應(yīng)的化學(xué)方程式:

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

9.已知金屬活動(dòng)性相差越大,形成原電池時(shí)越容易放電.請根據(jù)如圖裝置,回答下列問題:(其中C1、C2都為石墨電極)
(1)各裝置名稱是:A池原電池,B池電解池,C池電鍍池(電解池).
(2)寫出電極上發(fā)生的反應(yīng):②2H++2e-=H2↑,③2Cl--2e-=Cl2↑,⑥Ag++e-=Ag.
(3)當(dāng)電路上有1mol電子流過時(shí),①極上質(zhì)量變化32.5g,⑤極上質(zhì)量變化108g.
(4)反應(yīng)進(jìn)行一段時(shí)間后,A、B、C三池中電解質(zhì)溶液濃度不變的是C池.
(5)A池中PH值將增大填(增大,不變,減。,B池中PH值將增大填(增大,不變,減。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

6.標(biāo)準(zhǔn)狀況下VL HCl氣體溶解在1L水中(水的密度近似為1g/mL),所得溶液的密度為ρg/mL,溶
質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為ω,物質(zhì)的量濃度為c mol/L,溶質(zhì)的質(zhì)量為mg,則下列關(guān)系中不正確的是( 。
A.m=$\frac{36.5V}{22.4}$B.ω=$\frac{36.5c}{1000ρ}$
C.c=$\frac{1000ρV}{36.5V+22400}$D.c=$\frac{V}{22.4+22.4V}$

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

7.根據(jù)鍵能數(shù)據(jù):H-Cl 431kJ/mol,H-I 299kJ/mol,由此可得出的結(jié)論是(  )
A.溶于水時(shí),HI分子比HCl分子更容易電離
B.HI比HCl熔、沸點(diǎn)都高
C.HI比HCl更穩(wěn)定
D.拆開相同物質(zhì)的量的HI分子比HCl消耗的能量小,HI是離子化合物

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