A、B、C是短周期非金屬元素,核電荷數(shù)依次增大。A原子外圍電子排布為ns2np2,C是地殼中含量最多的元素。D、E是第四周期元素,其中E元素的核電荷數(shù)為29。D原子核外未成對電子數(shù)在同周期中最多。請用對應(yīng)的元素符號(hào)或化學(xué)式填空:

(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>    。

(2)分子(AB)2中鍵與鍵之間的夾角為180°,并有對稱性,每個(gè)原子最外層電子數(shù)均滿足八電子,其結(jié)構(gòu)式為    ,1mol該分子中含有鍵的數(shù)目為    。

(3)基態(tài)D原子的外圍電子排布式為    。DO2Cl2熔點(diǎn):-96 .5℃,沸點(diǎn):117℃,則固態(tài)DO2Cl2屬于    晶體。

(4)E的氫化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其化學(xué)式是   

 

 

 

【答案】

(12分)

A:(1)C<O<N(2分)

(2)N≡C-C≡N。2分)  4NA(或2.408×1024)(2分)

(3)3d54s1 (2分) 分子(2分)

(4)CuH(2分)

【解析】

試題分析:A為C、B為N,C為O,D是Cr,E為Cu,⑴同一周期第一電離能由小變大,其中N的2P軌道是半滿狀態(tài),第一電離能變大,答案:C<O<N;CN 與N2為等電子體,C與N之間形成叁鍵,結(jié)構(gòu)式為N≡C-C≡N,其中每個(gè)分子鍵的數(shù)目為4個(gè),答案:N≡C-C≡N 、 4NA(或2.408×1024);⑶注是要求寫D原子的外圍電子排布式3d54s1,DO2Cl2熔點(diǎn)、沸點(diǎn)低,符合分子晶體的性質(zhì),答案:3d54s1 、 分子;⑷由圖晶胞中Cu為8×1/8+6×1/2=4,H為4,是離子化合物,化學(xué)式為CuH,答案:CuH。

考點(diǎn):電子排布、原子軌道雜化類型與空間構(gòu)型、等電子體原理

 

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已知A、B、C是短周期的三種元素的原子A原子核外電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍,B原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,含A元素的化合物種類最多,C原子核外電子數(shù)與電子層數(shù)相同.

(1)畫出原子結(jié)構(gòu)示意圖A________,B________.

(2)寫出B和C形成兩種化合物的電子式________,________.

(3)寫出A和C形成的化合物中,n(A)∶n(C)=1∶1的物質(zhì)的結(jié)構(gòu)簡式________.

(4)在B元素和鈉元素所形成的化合物中,有一種化合物含有非極性共價(jià)鍵,寫出其電子式________.

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A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu).試回答下列問題:

(1)

C離子的結(jié)構(gòu)示意圖是________;由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是________;

(2)

B離子半徑(填“<”或“>”________C離子半徑,B和C元素最高價(jià)氧化物的水化物之間反應(yīng)的離子方程式為________;

(3)

化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應(yīng)的離子方程式:

________.

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科目:高中化學(xué) 來源:天利38套《2008全國各省市高考模擬試題匯編(大綱版)》、化學(xué) 大綱版 題型:022

A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu).試回答下列問題:

(1)三種元素的名稱是:A________,B________,C________.

(2)由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是________.

(3)B離子半徑(填“<”或“>”)________C離子半徑,B離子的氧化性比C離子的氧化性________(填“強(qiáng)”或“弱”),B和C元素最高價(jià)氧化物的水化物之間反應(yīng)的離子方程式為________.

(4)化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應(yīng)的離子方程式________.

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A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。試回答下列問題:

(1)三種元素的名稱是:A____________,B____________,C____________。

(2)由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是____________。

(3)B離子半徑(填“<”或“>”)____________C離子半徑,B離子的氧化性比C離子的氧化性____________(填“強(qiáng)”或“弱”),B和C元素最高價(jià)氧化物的水化物之間反應(yīng)的離子方程式為__________________________。

(4)化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應(yīng)的離子方程式____________。

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A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu).試回答下列問題:
(1)三種元素的名稱是:A______,B______,C______.
(2)由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是______________________.
(3)B離子半徑______(填“<”或“>”)C離子半徑,B離子的氧化性比C離子的氧化性________(填“強(qiáng)”或“弱”),B和C元素最高價(jià)氧化物的水化物之間反應(yīng)的離子方程式為___________________________________.
(4)化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應(yīng)的離子方程式________________________.

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