單質硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料.通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度為450℃~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖:

相關信息如下:
①四氯化硅遇水極易水解
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物
③有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5
沸點/℃ 57.7 12.8 - 315 -
熔點/℃ -70.0 -107.2 - - -
升華溫
度/℃
- - 180 300 162
請回答下列問題:
(1)裝置A中g管的作用是
平衡壓強,使液體從分液漏斗中順利流下
平衡壓強,使液體從分液漏斗中順利流下
;裝置C中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸

(2)甲方案:f接裝置Ⅰ;乙方案:f接裝置Ⅱ.但是裝置Ⅰ、Ⅱ都有不足之處,請你評價后填寫下表.
方案 優(yōu)點 缺點
①收集產(chǎn)品的導管粗,不會堵塞導管
②冷凝產(chǎn)品,減少產(chǎn)品損失
①收集產(chǎn)品的導管粗,不會堵塞導管
②冷凝產(chǎn)品,減少產(chǎn)品損失
①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,使四氯化硅水解
②尾氣沒有處理,污染環(huán)境
①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,使四氯化硅水解
②尾氣沒有處理,污染環(huán)境
①有尾氣處理裝置,注重環(huán)保
②避免空氣中的水蒸氣進入裝置
①有尾氣處理裝置,注重環(huán)保
②避免空氣中的水蒸氣進入裝置
①產(chǎn)品易堵塞導管
②沒有冷凝裝置,產(chǎn)品易損失
①產(chǎn)品易堵塞導管
②沒有冷凝裝置,產(chǎn)品易損失
(3)在上述(2)的評價基礎上,請你設計一個合理方案并用文字表達:
在裝置Ⅰ的i處接干燥管j
在裝置Ⅰ的i處接干燥管j

(4)SiCl4與H2反應的化學方程式為
SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl
SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl
分析:(1)g管使分液漏斗與燒瓶連通,使?jié)恹}酸順利滴下;濃硫酸可干燥氯氣;
(2)收集產(chǎn)品的導管太細易堵塞導管;制取的四氯化硅需要冷凝;由于尾氣中含有氯氣,要設置尾氣處理裝置,四氯化硅易水解,要避免空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置;
(3)應避免空氣中的水蒸氣進入裝置;
(4)氫氣能與四氯化硅反應生成單質硅和氯化氫.
解答:解:(1)g管使分液漏斗與燒瓶連通,使?jié)恹}酸順利滴下.由信息知,四氯化硅與水反應,故需除去氯氣中的水.B瓶裝飽和食鹽水除去氯氣中的氯化氫氣體,C瓶裝濃硫酸干燥氯氣,
故答案為:平衡壓強,使液體從分液漏斗中順利流下;濃硫酸;
(2)四氯化硅在常溫下易液化,如果收集產(chǎn)品的導管太細易堵塞導管;制取的四氯化硅需要冷凝;由于尾氣中含有氯氣,要設置尾氣處理裝置,四氯化硅易水解,要避免空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,故答案為:
方案 優(yōu)點 缺點
①收集產(chǎn)品的導管粗,不會堵塞導管
②冷凝產(chǎn)品,減少產(chǎn)品損失
①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,使四氯化硅水解
②尾氣沒有處理,污染環(huán)境
①有尾氣處理裝置,注重環(huán)保
②避免空氣中的水蒸氣進入裝置
①產(chǎn)品易堵塞導管
②沒有冷凝裝置,產(chǎn)品易損失
;
(3)應避免空氣中的水蒸氣進入裝置,在裝置Ⅰ的i處接干燥管j,故答案為:在裝置Ⅰ的i處接干燥管j;
(4)氫氣能與四氯化硅反應生成單質硅和氯化氫,反應方程式:SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl,故答案為:SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl.
點評:本題考查化學實驗方案設計,題目難度中等,注意掌握實驗原理.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

(2009?浙江)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料.通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖.

相關信息如下:①四氯化硅遇水極易水解;
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;
③有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5
沸點/℃ 57.7 12.8 - 315 -
熔點/℃ -70.0 -107.2 - - -
升華溫度/℃ - - 180 300 162
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式
MnO2+4H++2Cl-
 加熱 
.
 
Mn2++Cl2↑+2H2O
MnO2+4H++2Cl-
 加熱 
.
 
Mn2++Cl2↑+2H2O

(2)裝置A中g管的作用是
平衡壓強,使液體順利流出并防止漏氣
平衡壓強,使液體順利流出并防止漏氣
;裝置C中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
;
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是
產(chǎn)物SiCl4沸點低,需要冷凝收集
產(chǎn)物SiCl4沸點低,需要冷凝收集

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是
Al、P、Cl
Al、P、Cl
(填寫元素符號).
(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:5Fe2++MnO4-+8H+=5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示劑?
(填“是”或“否”),請說明理由
KMnO4溶液的紫紅色可指示反應終點
KMnO4溶液的紫紅色可指示反應終點

②某同學稱取5.000g殘留物后,經(jīng)預處理后在容量瓶中配制成100mL溶液,移取25.00mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol/LKMnO4標準溶液滴定.達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是
4.480%
4.480%

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科目:高中化學 來源: 題型:

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

c.有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點/℃

57.7

12.8

315

熔點/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式______________________。

(2)裝置A中g管的作用是________;裝置C中的試劑是________;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是__________________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是________(填寫元素符號)。

 

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科目:高中化學 來源:2013-2014學年甘肅省高三下學期第一次診斷考試理綜化學試卷(解析版) 題型:實驗題

)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。

實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質也能轉化為相應氯化物,SiCl4AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點/

57.7

315

熔點/

-70.0

升華溫度/

180

300

 

請回答下列問題:

1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質玻璃管中發(fā)生反應的化學方程式是????????????????????????? 。

2)裝置C中的試劑是?????????? D、E間導管短且粗的原因是?????????????

3G中吸收尾氣一段時間后,吸收液中肯定存在OHClSO42-。請設計實驗,探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。

【提出假設】假設1:只有SO32-;假設2:既無SO32-也無ClO;假設3?????? 。

【設計方案,進行實驗】可供選擇的實驗試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于ab、c三支試管中,分別進行下列實驗。請完成下表:

序號

操? 作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結論

a試管中滴加幾滴????????? 溶液

若溶液褪色

則假設1成立

若溶液不褪色

則假設23成立

b試管中滴加幾滴????????? 溶液

若溶液褪色

則假設13成立

若溶液不褪色

假設2成立

c試管中滴加幾滴????????? 溶液

 

假設3成立

 

 

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科目:高中化學 來源:2011-2012學年重慶八中高三第二次月考理綜試卷(化學部分) 題型:實驗題

(16分)

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

c.有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點/℃

57.7

12.8

315

熔點/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

 

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式______________。

(2)裝置A中g管的作用是______________;裝置C中的試劑是____________;裝置E中的h 瓶需要冷卻的理由是______________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是______________(填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:

5Fe2++MnO4-+8H+ =5Fe3++Mn2++4H2O

①滴定前是否要滴加指示劑?_________(填 “是”或“否”),請說明理由__________。

②某同學稱取5.000g殘留物后,所處理后在容量中瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×10-2mol·L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是________________。

 

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