物質 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸點/℃ | 57.7 | 12.8 | - | 315 | - |
熔點/℃ | -70.0 | -107.2 | - | - | - |
升華溫 度/℃ |
- | - | 180 | 300 | 162 |
方案 | 優(yōu)點 | 缺點 |
甲 | ①收集產(chǎn)品的導管粗,不會堵塞導管 ②冷凝產(chǎn)品,減少產(chǎn)品損失 ①收集產(chǎn)品的導管粗,不會堵塞導管 ②冷凝產(chǎn)品,減少產(chǎn)品損失 |
①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,使四氯化硅水解 ②尾氣沒有處理,污染環(huán)境 ①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,使四氯化硅水解 ②尾氣沒有處理,污染環(huán)境 |
乙 | ①有尾氣處理裝置,注重環(huán)保 ②避免空氣中的水蒸氣進入裝置 ①有尾氣處理裝置,注重環(huán)保 ②避免空氣中的水蒸氣進入裝置 |
①產(chǎn)品易堵塞導管 ②沒有冷凝裝置,產(chǎn)品易損失 ①產(chǎn)品易堵塞導管 ②沒有冷凝裝置,產(chǎn)品易損失 |
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方案 | 優(yōu)點 | 缺點 |
甲 | ①收集產(chǎn)品的導管粗,不會堵塞導管 ②冷凝產(chǎn)品,減少產(chǎn)品損失 |
①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置,使四氯化硅水解 ②尾氣沒有處理,污染環(huán)境 |
乙 | ①有尾氣處理裝置,注重環(huán)保 ②避免空氣中的水蒸氣進入裝置 |
①產(chǎn)品易堵塞導管 ②沒有冷凝裝置,產(chǎn)品易損失 |
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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
物質 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸點/℃ | 57.7 | 12.8 | - | 315 | - |
熔點/℃ | -70.0 | -107.2 | - | - | - |
升華溫度/℃ | - | - | 180 | 300 | 162 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。
相關信息如下:
a.四氯化硅遇水極易水解;
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;
c.有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸點/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | — |
熔點/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | — |
升華溫度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式______________________。
(2)裝置A中g管的作用是________;裝置C中的試劑是________;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是__________________________________。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是________(填寫元素符號)。
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科目:高中化學 來源:2013-2014學年甘肅省高三下學期第一次診斷考試理綜化學試卷(解析版) 題型:實驗題
)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。
實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質也能轉化為相應氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質玻璃管中發(fā)生反應的化學方程式是????????????????????????? 。
(2)裝置C中的試劑是?????????? ; D、E間導管短且粗的原因是????????????? 。
(3)G中吸收尾氣一段時間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請設計實驗,探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設】假設1:只有SO32-;假設2:既無SO32-也無ClO-;假設3:?????? 。
【設計方案,進行實驗】可供選擇的實驗試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進行下列實驗。請完成下表:
序號 | 操? 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結論 |
① | 向a試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴????????? 溶液 |
| 假設3成立 |
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年重慶八中高三第二次月考理綜試卷(化學部分) 題型:實驗題
(16分)
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。
相關信息如下:
a.四氯化硅遇水極易水解;
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;
c.有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
沸點/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
熔點/℃ |
-70.0 |
-107.2 |
— |
— |
— |
升華溫度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式______________。
(2)裝置A中g管的作用是______________;裝置C中的試劑是____________;裝置E中的h 瓶需要冷卻的理由是______________。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是______________(填寫元素符號)。
(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:
5Fe2++MnO4-+8H+ =5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示劑?_________(填 “是”或“否”),請說明理由__________。
②某同學稱取5.000g殘留物后,所處理后在容量中瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×10-2mol·L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是________________。
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