Question

拆開1mol化學(xué)鍵所吸收的能量是該化學(xué)鍵的鍵能，它的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱．

化學(xué)鍵	Si-O	Si-Cl	H-H	H-Cl	Si-Si	Si-C
鍵能/kJ?mol-1	460	360	436	431	176	347

下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（　�。�

• A、SiCl₄的熔點(diǎn)比SiC低
• B、拆開1 mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ
• C、HCl的熔點(diǎn)比H₂高
• D、拆開1 mol晶體SiC中的化學(xué)鍵所吸收的能量為1388kJ

Answer 1

分析：A．SiCl₄的是分子晶體，SiC是原子晶體，熔點(diǎn)原子晶體＞分子晶體；
B．晶體硅中1個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)Si形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)
Si原子通過(guò)

1

2

Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有Si-Si鍵為1mol×4×

1

2

=2mol；
C．范德華力越大熔沸點(diǎn)越高；
D．晶體SiC中1個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)C形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-C鍵，每個(gè)Si-C鍵為1個(gè)Si原子通過(guò)

1

2

Si-C鍵，所以1mol晶體硅中含有Si-C鍵為1mol×4×

1

2

=2mol．

解答：解：A．SiCl₄的是分子晶體，SiC是原子晶體，熔點(diǎn)原子晶體＞分子晶體，所以SiCl₄的熔點(diǎn)比SiC熔點(diǎn)低，故A正確；
B．晶體硅中1個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)Si形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)
Si原子通過(guò)

1

2

Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有Si-Si鍵為1mol×4×

1

2

=2mol，拆開1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ/mol×2mol=352kJ，故B錯(cuò)誤；
C．相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高，故C正確；
D．晶體硅中1個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)C形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-C鍵，每個(gè)Si-C鍵為1個(gè)Si原子通過(guò)

1

2

Si-C鍵，所以1mol晶體硅中含有Si-C鍵為1mol×4×

1

2

=2mol，拆開1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為347kJ/mol×2mol=694kJ，故D正確．
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體類型與性質(zhì)、鍵能概念及鍵能鍵長(zhǎng)的運(yùn)用等，難度中等，BD選項(xiàng)為易錯(cuò)點(diǎn)，要根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)判斷1mol晶體硅中含有Si-Si鍵為2mol．