（12分） “物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為               。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為            。在四大晶體類型中，GaN屬于             晶體。

（2）銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有               的原子或離子

（3）CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是          。

②SO2分子的空間構(gòu)型為           。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學式為           。

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為          。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有               。   

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為               。

 

【答案】

（12分）

⑴1s22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）（1分）

正四面體（1分）原子晶體（1分）

⑵能夠接受孤電子對的空軌道（1分）

⑶①  O >N >H（1分）

②V形 （1分）     SO42-、SiO44-等（1分）

③sp3雜化 （1分）  乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵（1分）

④abd  （2分）        

⑤4（1分）

【解析】略

 

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：

[化學--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．在四大晶體類型中，GaN屬于
原子
原子
晶體．
（2）NH3分子的空間構(gòu)型是：
三角錐型
三角錐型
，中心原子N的雜化軌道類型是：
sp3
sp3
．
（3）NH3與PH3相比，熱穩(wěn)定性更強的是：
NH3
NH3
，理由是：
氮的原子半徑比磷的原子半徑小，N-H鍵長比P-H鍵長短，鍵能更大，分子更穩(wěn)定
氮的原子半徑比磷的原子半徑小，N-H鍵長比P-H鍵長短，鍵能更大，分子更穩(wěn)定
．
（4）一定壓強，將NH3和PH3混合氣體降溫時，首先液化的物質(zhì)是
NH3
NH3
，理由是：
因為氨分子之間存在氫鍵，使分子間作用力更大，沸點更高
因為氨分子之間存在氫鍵，使分子間作用力更大，沸點更高
．
（5）銅、鐵元素能形成多種配合物．微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有
能夠接受孤電子對的空軌道
能夠接受孤電子對的空軌道
的原子或離子．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2013?遼寧一模）[化學--選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
已知R、W、X、Y、Z是周期表中前四凰期元素，它們的原子序數(shù)依次遞增．R的基態(tài)原子中占據(jù)啞鈴形原子軌道的電子數(shù)為1；W的氫化物的沸點比同族其它元素氫化物的沸點高；X2+與W2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)；Y元素原子的3p能級處于半充滿狀態(tài)；Z+的電子層都充滿電子．請回答下列問題：
（1）寫出Z的基態(tài)原子的外圍電子排布式
3d104s1
3d104s1
．
（2）R的某種鈉鹽晶體，其陰離子Am-（含R、W、氫三種元素）的球棍模型如圖所示：在Am-中，R原子軌道雜化類型有
SP2、SP3
SP2、SP3
；m=
2
2
．（填數(shù)字）
（3）經(jīng)X射線探明，X與W形成化合物的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似，X2+的配位原子所構(gòu)成的立體幾何構(gòu)型為
正八面體
正八面體
．
（4）往Z的硫酸鹽溶液中加入過量氨水，可生成[Z（NH3）4]SO4，下列說法正確的是
AD
AD

A．[Z（NH3）4]SO4中所含的化學鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵
B．在[Z（NH3）4]SO4中Z2+給出孤對電子，NH3提供空軌道
C．[Z（NH3）4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素
D．SO42-與PO43-互為等電子體，空間構(gòu)型均為四面體
（5）固體YCl5的結(jié)構(gòu)實際上是Ycl4+和YCl6-構(gòu)成的離子晶體，其晶體結(jié)構(gòu)與CsCl相似．若晶胞邊長為apm，則晶胞的密度為
417×1030
a3NA
417×1030
a3NA
g?cm-3．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【化學--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
三種常見元素結(jié)構(gòu)信息如下表，試根據(jù)信息回答有關(guān)問題：
元素 A B C
結(jié)構(gòu)信息 基態(tài)原子核外有兩個電子層，最外層有3個未成對的電子 基態(tài)原子的M層有1對成對的p電子 基態(tài)原子核外電子排布為[Ar]3d104sx，有+1、+2兩種常見化合價
（1）寫出B原子的基態(tài)電子排布式
 
；
（2）用氫鍵表示式寫出A的氫化物溶液中存在的氫鍵
 
（任寫一種）；A的氫化物分子結(jié)合一個H+形成陽離子后，其鍵角
 
（填寫“變大”、“變小”、“不變”）；
（3）往C元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量A元素的氫化物水溶液，可生成的配合物的化學式為
 
，簡要描述該配合物中化學鍵的成鍵情況
 
；
（4）下列分子結(jié)構(gòu)圖中的“●”表示上述相關(guān)元素的原子中除去最外層電子的剩余部分，“○”表示氫原子，小黑點“?”表示沒有形成共價鍵的最外層電子，短線表示共價鍵．
精英家教網(wǎng)
在以上分子中，中心原子采用sp3雜化形成化學鍵是
 
（填寫序號）；在②的分子中有
 
個σ鍵和
 
個π鍵．

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科目：高中化學 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)[化學-選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]現(xiàn)有A、B、C、D、E、F六種物質(zhì)或粒子，其中A、B、C、D都具有如圖所示的結(jié)構(gòu)或結(jié)構(gòu)單元（圖形以外可能有的部分未畫出，虛線不表示化學鍵或分子間作用力，X、Y可以相同也可以不同）．A、B的晶體類型相同，單質(zhì)A的同素異形體能與B物質(zhì)發(fā)生置換反應(yīng)．C、D、E、F含有相同的電子數(shù)，且D是陽離子，D與F的組成元素相同．C、E、F的晶體類型相同，由E構(gòu)成的物質(zhì)常溫下呈液態(tài)．
（1）寫出單質(zhì)A的同素異形體與B物質(zhì)發(fā)生置換反應(yīng)的化學方程式①
 
；與A同主族的第四周期元素基態(tài)原子的電子排布式為②
 
．
（2）上述六種物質(zhì)或粒子的組成元素中有三種處于同一周期，請寫出這三種元素第一電離能由大到小的順序
 
（用元素符號回答）．
（3）F分子的空間構(gòu)型是①
 
，屬于②
 
分子（填“極性”或“非極性”），F(xiàn)、E熔、沸點均比同主族同類化合物高，其原因⑨
 
．
（4）C分子的中心原子雜化類型是
 
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

[化學--選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
有A、B、C、D、E五種短周期主族元素，它們的原子序數(shù)依次增大，A，E同主族，且A元素的質(zhì)子數(shù)是E元素的一半．最外層電子數(shù)D元素原子是A元素原子的一半，核外電子數(shù)C元素原子比E元素原子少5個．
（1）基態(tài)D元素原子的電子排布式為
 
．A與B相比，電負性較大的是
 
（用相應(yīng)的元素符號表示．下同）．EA3分子的立體構(gòu)型為
 
，在該分子中，中心原子E采用的雜化軌道類型是
 
．
（2）A的氫化物沸點高于E的氫化物的沸點，原因是
 
．
（3）B和C所形成化俁物中存在的化學鍵是
 
，其晶體穩(wěn)定性高于NaCl晶體，原因是
 
．
精英家教網(wǎng)（4）B與Ca形成的晶體的晶胞如右圖所示，其中Ca2+的配位數(shù)是
 
，該化合物的化學式是
 
．

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