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【題目】現(xiàn)有CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6五種有機物：

①若五者質量相同：在相同狀況下體積最大的是_____；完全燃燒時，消耗氧氣最多的是____，生成CO2最多的是_____。

②若五者體積相同：完全燃燒時，消耗氧氣最多的是____，生成水最少的是____。

【答案】CH4 CH4 C2H2 C3H6 C2H2

【解析】

①CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6的摩爾質量依次增大，根據n=可知，相同質量情況下，摩爾質量越小，物質的量越大，相同條件下，體積之比等于物質的量之比，故CH4的體積最大；

相同質量情況下，氫元素質量分數(shù)越大，消耗氧氣越多，CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6分子中C、H原子數(shù)目之比分別為：1：4、1：1、1：2、1：3、1：2，故CH4中氫元素質量分數(shù)最大，消耗氧氣最多；

相同質量情況下，碳元素質量分數(shù)越大，反應生成二氧化碳越多，CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6分子中C、H原子數(shù)目之比分別為：1：4、1：1、1：2、1：3、1：2，故C2H2中碳元素質量分數(shù)最大，生成CO2最多的是C2H2；

②同狀況同體積時，氣體的物質的量相等，1mol烴的耗氧量為（x+）mol，1molCH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6耗氧量分別為2mol、2.5mol、3mol、3.5mol、4.5mol，故C3H6耗氧量最多；

同狀況同體積時，氣體的物質的量相等，1mol烴完全燃燒生成的水為mol，1molCH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6完全反應生成的水分別為2mol、1mol、2mol、3mol、3mol，故C2H2反應生成水最少。

練習冊系列答案
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【題目】小蘇打是焙制糕點常用的發(fā)酵粉，小蘇打屬于

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【題目】(1)丙烷熱值較高，污染較小，是一種優(yōu)良的燃料。試回答下列問題：

如圖是一定量丙烷完全燃燒生成CO2和1 mol H2O(l)過程中的能量變化圖，請在圖中的括號內填入________（“＋”或“－”）。寫出表示丙烷燃燒熱的熱化學方程式：__________________。

(2)蓋斯定律認為：不管化學過程是一步完成或分幾步完成，整個過程的總熱效應相同。試運用蓋斯定律回答問題：

已知：H2O(g)===H2O(l)　ΔH1＝－Q1 kJ·mol－1

C2H5OH(g)===C2H5OH(l)　ΔH2＝－Q2 kJ·mol－1

C2H5OH(g)＋3O2(g)===2CO2(g)＋3H2O(g)　ΔH3＝－Q3 kJ·mol－1

若使46 g液態(tài)無水酒精完全燃燒，并恢復到室溫，則整個過程中放出的熱量為______kJ。

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B. 將地下鋼管與直流電源的正極相連，用來保護鋼管

C. 已知在101KPa下，1gH2燃燒生成水蒸氣放出121kJ熱量，其熱化學方程式為：2H2(g)+O2(g)=2H2O(g)△H=-484kJ·mol-1

D. 25℃，101kPa時，強酸與強堿的稀溶液發(fā)生中和反應的中和熱為57.3kJ·mol-1,表示稀H2SO4與KOH溶液反應的中和熱的熱化學方程式為：H2SO4(aq)+2KOH(aq)=K2SO4(aq)+2H2O(l)△H=-114.6kJ·mol-1

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【題目】以高硫鋁土礦（主要成分為、、，少量）為原料，生產的部分工藝流程如下：

下列說法錯誤的是（ ）

A. 用溶液吸收焙燒過程產生的有利于保護環(huán)境和資源再利用

B. 從高硫鋁土礦中可制得、的化合物

C. 向“過濾”得到的濾液中通入過量，鋁元素存在的形式由轉化為

D. 與混合后在無氧條件下焙燒的目的是生成和

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【題目】現(xiàn)有以下幾種除去雜質的方案：

①除去乙烷中的少量乙烯，催化劑條件下通入氫氣；②除去CO2中的少量CO，氣體通過灼熱的CuO；③除去CO2中的少量SO2，氣體通過盛有飽和Na2CO3溶液的洗氣瓶；④除去乙醇中的少量乙酸，加入足量的生石灰，蒸餾，餾分是乙醇。

在實驗室中，上述方案可行的是______（填序號）

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【題目】下列說法中，正確的是（　　）

A.兩種難溶鹽電解質，其中Ksp小的溶解度一定小

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C.難溶鹽電解質的Ksp與溫度有關

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【題目】下列原子軌道能量最大的是(　　)

A.3dB.2pC.5fD.4s

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(1)Z的基態(tài)原子的核外電子排布式為_____________。

(2)Z的氧化物是石油化工中重要的催化劑之一，如催化異丙苯()裂化生成苯和丙烯。

①1 mol丙烯分子中含有σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_____________。

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(4)ZY3的熔點為1 152 ℃，其在熔融狀態(tài)下能夠導電，據此可判斷ZY3晶體屬于_________(填晶體類型)。

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