鎵(Ga)、鍺( Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素，它們在高科技尖端科學特別是信息領域有著廣泛的用途。已知砷化鎵的晶胞結構如圖。試回答下列問題：

（1）下列說法不正確的是（選填序號）    。
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
B．第一電離能：Se >As> Ge> Ga
C．鎵、鍺、砷、硒都屬于p區(qū)元素
D．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3反應制備得到，該反應在700℃進行，反應的方程式為       ，AsH3空間形狀為                 。  
（3）Ge的核外電子排布式為              ，H2 Se中硒原子的雜化方式為            。
（4）AsH3沸點比NH3低，其原因是：             。
（1）AB    （2）(CH3)3Ga +AsH3  GaAs+ 3CH4   三角錐 
（3）1s2p62s22p63s23p63d104s24p2  sp­3 （4）NH3分子間存在氫鍵

試題分析：（1）A、NaCl晶胞中配位數(shù)是6，該晶胞中配位數(shù)是4，故晶胞結構不同，錯誤；B、第ⅥA族元素最外層電子排布為ns2np3，為半滿的穩(wěn)定結構，第一電離能大于相鄰的同周期元素，錯誤；D、原子數(shù)相同，最外層電子總數(shù)相同，故為等電子體，正確。（2）AsH3為sp3雜化，有一對孤電子對，故為三角錐型；（4）NH3分子間存在氫鍵，溶沸點高。
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：推斷題

已知：A、B、C、D、E、F六種元素，原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云，兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等；B是短周期中原子半徑最大的元素；C元素3p能級半充滿；E是所在周期電負性最大的元素；F是第四周期未成對電子最多的元素。試回答下列有關的問題：
（1）寫出F元素的電子排布式_______。
（2）已知A元素的一種氫化物分子中含四個原子，則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為______。
（3）已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子，一種為極性分子，屬于極性分子的化合物的分子空間構型是______。
（4）B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是______ (寫元素符號）。四種元素最高價氧化物的水化物形成的溶液，物質的量濃度相同時，pH由大到小的順序是______(寫化學式）。
（5）由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中，陰、陽離子都有球型對稱結構，它們都可以看作剛性圓球，并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結構圖以及晶胞的剖面圖：

晶胞中距離一個Na+最近的Na+有____________個。若晶體密度為ρ g·cm-3，阿伏加德羅常的值用NA表示，則Cl－的離子半徑_____cm(用含NA與ρ式子表達)。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（一）BaCl2·xH2O中結晶水數(shù)目可通過重量法來確定：
①稱取1．222g樣品，置于小燒杯中，加入適量稀鹽酸，加熱溶解，邊攪拌邊滴加稀硫酸到沉淀完全，靜置；
②過濾并洗滌沉淀；
③將盛有沉淀的濾紙包烘干并中溫灼燒；轉入高溫爐中，反復灼燒到恒重，稱得沉淀質量為1．165g。
回答下列問題：
（1）在操作②中，需要先后用稀硫酸和            洗滌沉淀；
（2）計算BaCl2·xH2O中的x=          （取整數(shù)值）。
（3）操作③中，如果空氣不充足和溫度過高，可能會有部分沉淀被濾紙中的碳還原為BaS，這使x的測定結果          （填“偏低”、“偏高”或“不變”）。
（二）、（5分）圖A所示的轉化關系中（具體反應條件略），a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見單質，其余均為它們的化合物，i的溶液為常見的酸，a的一種同素異形體的晶胞
如圖B所示。且該物質為自然界最硬的物質。

回答下列問題：
（1）圖B對應的物質名稱是         ，（2）d中元素的原子核外電子排布式為       。
（3）圖A中由二種元素組成的物質中，沸點最高的是      ，
（4）圖A中的雙原子分子中，極性最大的分子是         。
（5）k的分子式為         ，

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

常壓下，苯的沸點低于甲苯，熔點卻高于甲苯。苯的熔點更高的原因可能是
A．苯具有芳香性B．苯中的化學鍵強度更強
C．苯分子間作用力更小D．固態(tài)時苯分子排列更緊密

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

物質的結構是決定物質性質的重要因素。請回答下列問題：
（1）基態(tài)Ni原子核外電子排布式為____________；第二周期基態(tài)原子未成對電子數(shù)與Ni相同且電負性最小的元素是_________________。
（2）NiO、FeO的晶體結構類型均與氯化鈉的相同，Ni2+和Fe2+的離子半徑分為0.069nm和0.078nm，則熔點NiO_____________FeO（填“＜”或“＞”）；NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為____________。
（3）肼可用作火箭燃料，燃燒時發(fā)生的反應是：N2O4+2N2H4＝3N2+4H2O，若該反應中有4molN—H鍵斷裂，形成的鍵有________mol。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

開發(fā)新型儲氫材料是氫能利用的重要研究方向。
（1）Ti(BH4)3是一種儲氫材料，可由TiCl4和LiBH4反應制得。
①基態(tài)Ti3+的未成對電子數(shù)有______個。
②LiBH4由Li+和BH4—構成，BH4—呈正四面體構型。LiBH4中不存在的作用力有______(填標號)。
A．離子鍵        B．共價鍵       C．金屬鍵        D．配位鍵
③Li、B、H元素的電負性由大到小排列順序為______。
（2）金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲氫材料。
①LiH中，離子半徑：Li+______H－（填“>”、“=”或“<”）。
②某儲氫材料是短周期金屬元素M的氫化物。M的部分電離能如下表所示：

M是______（填元素符號）。
（3）某種新型儲氫材料的理論結構模型如下圖所示，圖中虛線框內碳原子的雜化軌道類型有______種。

（4）分子X可以通過氫鍵形成“籠狀結構”而成為潛在的儲氫材料。X一定不是______（填標號）。
A．H2O         B．CH4       C．HF      D．CO(NH2)2

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

Fe3+可以與SCN-、CN-、F-有機分子等形成很多的配合物。
（1）寫出基態(tài)Fe3+的核外電子排布式   。
（2）CN-中碳原子的雜化方式為   。
（3）已知(CN)2是直線型分子，并有對稱性，則(CN)2中π鍵和σ鍵的個數(shù)比為   。
（4）寫出一種與SCN-互為等電子體的分子   。（用化學式表示）
（5）下圖是SCN-與Fe3+形成的一種配合物，畫出該配合物中的配位鍵（以箭頭表示）。

（6）F-不僅可與Fe3+形成[FeF6]3+，還可以與Mg2+、K+形成一種立方晶系的離子晶體（如下圖）。該晶體的化學式為   。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W四種元素，其X是形成化合物種類最多的元素，Y原子基態(tài)時最外層電子數(shù)是其內層電子數(shù)的2倍，Z原子基態(tài)時2p原子軌道上有3個未成對的電子，W的原子序數(shù)為29。回答下列問題：

1）Y2X2分子中Y原子軌道的雜化類型為      ，1mol Y2X2含有σ鍵的數(shù)目為       。
2）化合物ZX3的沸點比化合物YX4的高，其主要原因是       。
3）元素Y的一種氧化物與元素Z的一種氧化物互為等電子體，元素Z的這種氧化物的分子式是       。
4）元素W的一種氯化物晶體的晶胞結構如圖所示，該氯化物的化學式是       ，它可與濃鹽酸發(fā)生非氧化還原反應，生成配合物HnWCl3，反應的化學方程式為              。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

(13分) 下表為元素周期表的一部分，其中編號代表對應的元素。

請回答下列問題：
（1）寫出元素⑦的基態(tài)原子排布式                    ，元素⑧位于       區(qū)。
⑤元素原子的價層電子的軌道表示式為                                ，
（2）若元素①③⑤形成的某化合物顯酸性，經(jīng)測定這三種元素的質量比為1：6：16，該化合物對氫氣的相對密度為23，則其中所有雜化原子的雜化方式分別為     和    。
（3）元素④和⑥的第一電離能大小順序是      >       （用元素符號表示）。請寫出由④和⑤兩種元素形成的與N3-互為等電子體的離子的化學式           ，其VSEPR構型為           。
（4）在測定①和⑥形成的化合物的相對分子質量時，實驗測得值一般高于理論值，其主要原因是                                   。
（5）④和⑧形成某種化合物的晶胞結構如右圖所示（每個球均表示1個原子，其中④顯-3價），則其化學式為           。

⑧的常見離子和④的最簡單氫化物形成的配離子的名稱為              ，
其水溶液顏色為                  。

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