(8分)已知NiXO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型(見19題圖),由于晶體缺陷,x值于小于1。測(cè)知NiXO晶體密度ρ為5. 71g·cm3,晶胞邊長(zhǎng)為4.28×1010m(Ni的相對(duì)原子質(zhì)量為58.7,O的相對(duì)原子質(zhì)量為16)。求:(已知:4.283="78.4 " =1.4)
(1)晶胞中兩個(gè)Ni原子之間的最短距離___________(精確至0.01)。
(2)與O2距離最近且等距離的Ni離子圍成的幾何體形狀_______
(3)求NiXO中x值為_________(精確至0.01)。
(4)晶體中的Ni分別為Ni2、Ni3,求此晶體的化學(xué)式_________。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)體現(xiàn)結(jié)構(gòu)。對(duì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的研究是學(xué)好化學(xué)的基礎(chǔ)。
(1)下列4種物質(zhì)熔點(diǎn)沸點(diǎn)由高到低排列為______________(填序號(hào))
①金剛石(C—C)  ②晶體硅(Si—Si)   ③金剛砂(Si—C)
(2)某晶體的晶胞如圖所示,X位于體心,Y位于4個(gè)面心,Z位于8?jìng)(gè)
頂點(diǎn),該晶體中 X、Y、Z的粒子個(gè)數(shù)比為______________;

(3)按所示格式填寫下表有序號(hào)的表格:
原子序數(shù)
原子價(jià)層電子排布
周期

17

第三


3d54s1

ⅥB
(4)某元素的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s2s2p3s3p4s,則該元素基態(tài)原子的電子排布式為             ;其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的化學(xué)式是       

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列有關(guān)物質(zhì)的熔點(diǎn)的比較中,不正確的是
A.晶體Si < 金剛石B.CO2 < SiO2
C. NaCl < NaBrD. PH3 < NH3

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

在超高壓下,科學(xué)家用激光器將CO2加熱到1800K,成功制得了類似石英的CO2原子晶體。下列關(guān)于CO2原子晶體的敘述中不正確的是
A.晶體中C、O原子個(gè)數(shù)比為1∶2          B.該晶體的熔沸點(diǎn)、硬度都高于石英
C.晶體中含有“CO4”的結(jié)構(gòu)單元         D.晶體中最小的原子環(huán)為六元環(huán)

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

某物質(zhì)的晶體內(nèi)部一個(gè)截面上原子的排布情況如右圖

 

 
所示,則該晶體的化學(xué)式可表示為


A.AB             B. A2B   
C.AB2             D.A3B

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料,可用作制芯片和太陽(yáng)能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法:

請(qǐng)回答下列問題:(各元素用相應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)在上述生產(chǎn)過(guò)程中,屬于置換反應(yīng)的有(填反應(yīng)的代號(hào)“I~IV”)
(2)A、B、C三種氣體,在上述生產(chǎn)過(guò)程中可循環(huán)利用的是      ;在“節(jié)能減排”中作為減排目標(biāo)的一種氣體是              。
(3)化合物甲的用途很廣,有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通?勺鹘ㄖI(yè)和造紙工業(yè)上的黏合劑,可作肥皂的填料,是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲,其化學(xué)方程式為                     。
(4)利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                            。
(5)已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低,則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立平衡,改變下列的一個(gè)條件,氣體B的物質(zhì)的量增大的是           。
a.縮小容器的容積
b.降低反應(yīng)體系的溫度
c.加入少量NaOH固體(生成物在此溫度下不分解)
d.加入少量催化性能更好的催化劑
(6)金屬鎳(Ni)與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni(A)4、利用Ni(A)4的生成與分解可以制得純度很高的納米鎳,寫出Ni(A)4在423K分解的化學(xué)方程式            

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)按沸點(diǎn)降低順序的一組是
A.CI4、CBr4、CCl4、CF4B.O、S、Se、Te
C.HF、HCl、HBr、HID.H2Te、H2Se、H2S、H2O

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列離子化合物中,陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比與其他化合物不同的是
A.Na2O2B.Na2OC.Na2SD.NH4HSO4

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列敘述中正確的是                                                                                     (   )
A.陽(yáng)離子不一定是金屬離子,含陽(yáng)離子的物質(zhì)一定含陰離子
B.陰、陽(yáng)離子相互作用不一定形成離子化合物
C.離子化合物均屬于強(qiáng)電解質(zhì),都易溶于水
D.由某金屬元素的陽(yáng)離子和某非金屬元素陰離子組成的物質(zhì)一定是純凈物

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案