現(xiàn)有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表:
元素編號 元素性質或原子結構
A 第三周期中的半導體材科
B L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少l
C 地殼中含量最高的元素
D 第三周期主族元素中其第一電離能最大
E 第四周期中未成對電子數(shù)最多
( 1)寫出元素E基態(tài)原子的電子排布式:
1s22s22p63s23p63d54s1
1s22s22p63s23p63d54s1
,基態(tài)C原子的價電子軌道表示式是

(2)B單質分子中,含有
1
1
個σ鍵和
2
2
 個π鍵.元素B的氣態(tài)氫化的空間構型為
三角錐型
三角錐型
,其中B原子的雜化方式是
sp3
sp3

(3)A、B、C第一電離由大到小的順序為(用元素符號表示):
N>O>Si
N>O>Si
;
(4)將B的氫化物的水溶液逐滴加入到CuSO4溶液中直到過量,觀察到的現(xiàn)象是
開始產(chǎn)生藍色沉淀,后沉淀溶解,溶液呈深藍色
開始產(chǎn)生藍色沉淀,后沉淀溶解,溶液呈深藍色
,相關的離子方程式是
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3.H2O=[Cu(NH34]2++4H2O+2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3.H2O=[Cu(NH34]2++4H2O+2OH-
分析:A是第三周期中的半導體材料,故A為Si元素;B元素原子L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1,則外圍電子排布為2s22p3,故B為氮元素;C是地殼中含量最高的元素,則C為氧元素;D在第三周期主族元素中其第一電離能最大,則D為Cl元素;E是第四周期中其未成對電子數(shù)最多,則外圍電子排布為3d54s1,核外電子數(shù)為24,為Cr元素,據(jù)此解答.
解答:解:A是第三周期中的半導體材料,故A為Si元素;B元素原子L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1,則外圍電子排布為2s22p3,故B為氮元素;C是地殼中含量最高的元素,則C為氧元素;D在第三周期主族元素中其第一電離能最大,則D為Cl元素;E是第四周期中其未成對電子數(shù)最多,則外圍電子排布為3d54s1,核外電子數(shù)為24,為Cr元素,
(1)E為Cr元素,外圍電子排布為3d54s1,則Cr元素基態(tài)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d54s1
C為Cl元素,氯原子最外層電子排布式為3s23p5,基態(tài)Cl原子的價電子軌道表示式是
故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1;
(2)氮氣分子中氮原子之間形成N≡N三鍵,含有1個σ鍵、2個π鍵,元素B的氣態(tài)氫化物為NH3,分子中氮原子成3個N-H鍵,氮原子含有1對孤對電子,故為三角錐型,N原子雜化軌道數(shù)目為4,采取sp3雜化,
故答案為:1;2;三角錐型;sp3;
(3)同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢,非金屬性越強第一電離能越大,但D元素原子2p能級容納3個電子,為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能N>O>Si,
故答案為:N>O>Si;
(4)將氨水滴入硫酸銅溶液中,首先發(fā)生反應Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+,出現(xiàn)藍色沉淀;藍色產(chǎn)生最大后,繼續(xù)滴加氨水,反應為Cu(OH)2+4NH3.H2O=[Cu(NH34]2++4H2O+2OH-,藍色沉淀溶解,溶液呈深藍色,
故答案為:開始產(chǎn)生藍色沉淀,后沉淀溶解,溶液呈深藍色;Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3.H2O=[Cu(NH34]2++4H2O+2OH-
點評:本題考查結構性質位置關系、分子結構與化學鍵、電離能、核外電子排布規(guī)律等,難度中等,注意基礎知識的理解掌握,(4)為易錯點,學生容易忽略氫氧化銅沉淀與氨水反應生成四氨合銅絡離子.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

(2012?山東模擬)現(xiàn)有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表:
元素編號 元素性質或原子結構
A 第三周期中的半導體材料
B L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1
C 屬于第二周期,原子中有2個未成對電子
D 前四周期呀中其未成對電子數(shù)最多
(1)B單質分子中,含有
1
1
個σ鍵和
2
2
個π鍵,元素B的氣態(tài)氫化物的空間型為
三角錐型
三角錐型

(2)若C是固體,C單質的熔點
高于
高于
A單質的熔點(填“高于”或“低于”),若C的單質是氣體,A與C形成的化合的晶體類型是
原子晶體
原子晶體

(3)寫出元素D基態(tài)原子的電子排布式:
1s22s22p63s23p63d54s1
1s22s22p63s23p63d54s1

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科目:高中化學 來源:2013屆河南省平頂山市高二下學期期末考試理科綜合化學試卷(解析版) 題型:填空題

[化學——選修物質結構與性質](30分)

Ⅰ.(18分)請選出下列各題中符合題意的選項:

(1) 下列物質中,屬于含有共價鍵的離子晶體是       

A.CsCl       B.KOH         C.H2O          D.H2

(2)已知CsCl晶體的密度為,NA為阿伏加德羅常數(shù),相鄰的兩個Cs+的核間距為a cm,如圖所示,則CsCl的摩爾質量可以表示為            

 

A.  g/mol     B.  g/mol   

C.    g/mol    D.   g/mol

(3)已知含氧酸可用通式XOm(OH)n來表示,如X是S,m=2,n=2,則這個式子就表示H2SO4。一般而言,該式中m的值越大,該含氧酸的酸性越強。下列各含氧酸中酸性最強的是        

A.HMnO4      B.H2SeO3          C.H3BO3          D.H3PO4

Ⅱ.(12分)現(xiàn)有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表:

 

元素編號

元素性質或原子結構

A

原子的電子排布圖為

B

常溫下單質為雙原子分子,原子間形成三對共用電子對

C

原子的s軌道電子數(shù)等于p軌道電子數(shù),元素的最低負價為-2價

D

二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構

E

原子序數(shù)是D兩倍,

根據(jù)以上情況,回答下列問題:(答題時A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)

(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序為           ;

(2)B的氫化物的分子空間構型是          ;

(3)E在周期表中的位置是          ,ECl3能與B、C的氫化物形成配位數(shù)為6的配合物,且兩種配體的物質的量之比為2∶1,三個氯離子位于外界,ECl3形成的配合物的化學式為             ;

(4)AC2在高溫高壓下所形成的晶胞如右圖所示。該晶體的類型屬于       (選填“分子”、“原子”、“離子”或“金屬”)晶體,該晶體中A原子的雜化形式為          ;

(5)D 的單質在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光,請用原子結構的知識解釋發(fā)光的原因:         。

 

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科目:高中化學 來源:2011-2012學年江蘇省高三11月練習化學試卷 題型:填空題

(12分)現(xiàn)有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表:

元素編號

元素性質或原子結構

A

原子的電子排布圖為

B

常溫下單質為雙原子分子,原子間形成三對共用電子對

C

原子的s軌道電子數(shù)等于p軌道電子數(shù),元素的最低負價為-2價

D

二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構

E

原子序數(shù)是D兩倍,

根據(jù)以上情況,回答下列問題:(答題時A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)

(1)A、B、C的電負性由小到大的順序為                ;

(2)B的氫化物的分子空間構型是        ,該氫化物的等電子體是        ;

(3)E的價電子排布式是       ,ECl3能與B、C的氫化物形成六配位的配合物,且兩種配體的物質的量之比為2∶1,三個氯離子位于外界,ECl3形成的配合物的化學式為            ;

(4)AC2在高溫高壓下所形成的晶胞如圖所示。該晶體的類型屬于     (選填“分子”、“原子”、“離子”或“金屬”)晶體,該晶體中A原子的雜化形式為     ;

(5)D 的單質在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光,請用原子結構的知識解釋發(fā)光的原因:                         。

 

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科目:高中化學 來源:2010年福建省高二下學期期末考試化學試題 題型:填空題

(13分)

       現(xiàn)有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表:

元素編號

元素性質或原子結構

A

第三周期中的半導體材科

B

L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少l 

C

地殼中含量最高的元素

D

第三周期主族元素中其第一電離能最大

E

第四周期中未成對電子數(shù)最多

   (1)寫出元素E基態(tài)原子的電子排布式:                  。

   (2)C2單質分子中,含有          鍵和          鍵,元素B的氣態(tài)氫化的空間構型為               。

   (3)A、B、C第一電離由大到小的順序為(用元素符號表示):             ;

   (4)D單質的熔點    A單質的熔點(填“高于”或“低于”),其原因是:        

                                                                  。

 

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