【題目】如圖所示,AB和BC是由同種材料制成的長度相同、橫截面積不同的兩段導(dǎo)體,將它們串聯(lián)后連入電路中.比較這兩段導(dǎo)體的物理量,則以下說法正確的是
A. WAB>W(wǎng)BC,IAB>IBC B. PAB<PBC,IAB=IBC
C. UAB>UBC,IAB=IBC D. QAB=QBC,IAB<IBC
【答案】C
【解析】
(1)AB和BC是由同種材料制成的長度相同、橫截面積不同的兩段導(dǎo)體,橫截面積越大,電阻越。
(2)根據(jù)串聯(lián)電路的電流特點(diǎn)可知通過兩段導(dǎo)體的電流關(guān)系;
(3)根據(jù)U=IR可知兩段導(dǎo)體兩端的電壓關(guān)系;根據(jù)P=UI可知導(dǎo)體AB和BC的功率關(guān)系.
(4)根據(jù)W=UIt比較WAB和WBC的關(guān)系;根據(jù)Q=I2Rt可比較QAB和QBC的關(guān)系.
(1)導(dǎo)體AB和BC由同種材料制成、長度相同,由圖可知導(dǎo)體AB橫截面積比BC的小,則RAB>RBC;
(2)兩段導(dǎo)體串聯(lián),通過兩導(dǎo)體的電流相等,即IAB=IBC;
(3)由I=,可得U=IR,則UAB>UBC;
由P=UI可知,PAB>PBC.
(4)由W=UIt可得,WAB>WBC,
由Q=I2Rt可得,QAB>QBC,故只有選項(xiàng)C正確。
故選C.
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科目:初中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,電源電壓不變,閉合開關(guān)S,滑動變阻器的滑片P向b端移動的過程中,下列說法不正確的是
A. 電流表A的示數(shù)變小 B. 電阻R1消耗的電功率變大
C. 電壓表V的示數(shù)變小 D. 電路消耗的總功率變小
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【題目】小明家電能表表盤上標(biāo)明“1200r/(kWh)”,若小明家的220V 100W的燈泡正常工作1.5小時,則該表的轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)了 ________轉(zhuǎn).若實(shí)際電壓為198V,則一個小時消耗的電能為 ________
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【題目】如圖所示,甲站在干燥的木桌上一只手接觸到火線;乙站在地上一只手接觸到零線;丙站在干燥的木桌上一只手接觸到火線。此時,丁站在地面上用手去拉丙。則( )
A. 甲、乙都會觸電 B. 甲、丙都會觸電
C. 乙、丁都會觸電 D. 丙、丁都會觸電
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【題目】光纖通信是利用_____(選填“電磁波”或“超聲波”)在光導(dǎo)纖維中_____(選填“反射”、“折射”或“直線傳播”),實(shí)現(xiàn)信息傳輸?shù);雷達(dá)向飛機(jī)發(fā)射的微波從發(fā)出到接收到返回信號所用時間為40μs(1μs=10﹣6s),則此時飛機(jī)與雷達(dá)的距離為_____m.
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【題目】如圖所示電路,電源電壓為12V且保持不變。閉合開關(guān)S,當(dāng)滑片P置于變阻器的中點(diǎn)時,電壓表的示數(shù)為4V;當(dāng)滑片P置于變阻器的b端時,電壓表的示數(shù)變化了2V,在10s內(nèi)定值電阻產(chǎn)生的熱量為則下列結(jié)果正確的是
A. 電路中的最小電流為
B. 滑片P在中點(diǎn)時,9s內(nèi)滑動變阻器R消耗的電能為60J
C. R先后兩次消耗的電功率之比為
D. 先后兩次消耗的電功率之比為
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【題目】關(guān)于如題6圖四幅圖的說法正確的是( )
A. 甲圖的實(shí)驗(yàn)說明磁場能產(chǎn)生電流
B. 乙圖的實(shí)驗(yàn)所揭示的原理可制成電動機(jī)
C. 丙圖所示裝置把機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能
D. 丁圖中麥克風(fēng)應(yīng)用了電磁感應(yīng)現(xiàn)象
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【題目】王大剛同學(xué)和家人在郊外野餐,用木炭燒水.鐵鍋內(nèi)裝有5kg水,把水從18℃加熱至98℃,已知水的比熱容為4.2×103J/(kg℃).如果木炭的熱值為3.4×107J/kg,它燃燒放出的熱有10%被水吸收.求:
(1)在這個過程中水吸收的熱量;
(2)在這個過程中用掉多少木炭.
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【題目】如圖所示的示意圖形象反映物質(zhì)氣、液、固三態(tài)分子排列的特點(diǎn),甲是_____態(tài),乙是______態(tài),丙是________態(tài).兩滴水銀靠近時能自動結(jié)合成一滴較大的水銀,說明________________,但兩塊光滑干燥的玻璃緊貼在一起不能結(jié)合成一整塊,是因?yàn)?/span>__________.科學(xué)家開發(fā)出制作單層硅分子薄膜技術(shù),如圖所示:在硅板表面覆蓋陶瓷薄層,持續(xù)加熱一段時間后,硅板中的硅分子居然能穿透陶瓷薄層從而形成單層硅分子薄膜.加熱使得硅分子穿透陶瓷薄膜,這說明_________________.
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